Как RAM Works

> SRAM: Static памет с произволен достъп използва множество транзистори, обикновено четири до шест, за всяка клетка памет, но неотворено "Не трябва кондензатор във всяка клетка. Тя се използва главно за кеш
<Ли> DRAM:.. Dynamic памет с произволен достъп има клетки памет с сдвоен транзистор и кондензатор, изискващо постоянно освежаващо
<Ли> FPM DRAM: режим Fast страница динамична памет с произволен достъп е оригиналната форма на DRAM. Тя чака през целия процес на намиране на малко данни от колона и ред и след прочитане на малко преди тя да започне на следващия бит. Максимална скорост на трансфер до L2 кеш е приблизително 176 MBps
<Ли> EDO DRAM:. Extended динамична памет с произволен достъп до данните на изчакване не чакаме всички от преработката на първия бит, преди да продължите към следващата. Веднага след като се намира на адреса на първия бит, EDO DRAM започва търсите следващия бит. Тя е около пет процента по-бързо от FPM. Максимална скорост на трансфер до L2 кеш е приблизително 264 MBps
<Ли> SDRAM:. Синхронна динамична памет с произволен достъп се възползва от концепцията за импулсен режим за значително подобряване на производителността. Той прави това, като се задържи по реда, съдържащ искания бит и се движат бързо през колоните, четете всеки бит, докато тя преминава. Идеята е, че повечето от времето, необходими на процесора данни ще бъдат в последователност. SDRAM е около пет процента по-бързо от EDO RAM и е най-често срещаната форма на настолни компютри днес. Максимална скорост на трансфер до L2 кеш е приблизително 528 MBps
<Ли> DDR SDRAM:. Удвоено равнище на данни синхронна динамична RAM е точно като SDRAM, освен че е има по-висока честотна лента, което означава по-голяма скорост. Максимална скорост на трансфер до L2 кеш е приблизително 1,064 MBps (DDR SDRAM за 133 MHZ)
<Ли> RDRAM:. Rambus динамична памет с произволен достъп е радикално отклонение от предходната DRAM архитектура. Проектиран от Rambus, RDRAM използва Rambus в онлайн модула с памет (RIMM), която е подобна по размер и ПИН конфигурация на стандартен DIMM. Това, което прави толкова различна RDRAM е използването на специална високоскоростна шина за данни, наречена канала Rambus. RDRAM чиповете памет работят паралелно, за да се постигне скорост на данните от 800 MHz, или 1,600 MBps. Тъй като те работят при такива високи скорости, те генерират много повече топлина, отколкото други видове чипс. За да ви помогне да разсее излишната топлина Rambus чипове са обору